1.本征半导体:纯净的不含杂质的半导体。
2.载流子:自由电子+空穴对 多子+少子
3.死区电压:硅管0.5V 锗管:0.2V
导通压降:Si 0.7v Ge 0.3v
4.三极管作用:电流放大
集电极 发射极
5.集成运算放大器应用:
a.反相输入比例运算电路
b.同相输入比例器
c.电压跟随器
1.本征半导体:纯净的不含杂质的半导体。
2.载流子:自由电子+空穴对 多子+少子
3.死区电压:硅管0.5V 锗管:0.2V
导通压降:Si 0.7v Ge 0.3v
4.三极管作用:电流放大
集电极 发射极
5.集成运算放大器应用:
a.反相输入比例运算电路
b.同相输入比例器
c.电压跟随器
1.功率因素提高的意义:
a.提高发电、配电设备的利用率;
b.减少输电线路的电压降和功率损失。
2.提高功率因数的方法:在感性负载上并联适当的电容。
3.三相电路:三个频率、振幅相同,相位互差120度。ABC相线,N中线。
4.星形连接
Up相电压:每个电源的电压-----220V
Ul线电压:火线间的电压-----380V
5.三角形连接
Up=Ul
1.变化的电产生磁,变化的磁产生电
电场强度E=U/d,v/m
磁感应强度B,单位T 1T=104次方高斯G
2.电压与电流的相位差,说明电压与电流方向问题。电压电流---感前容后。
3.有效值与最大值关系:Um=1.414U
4.符号规定:
直流----大写字母,大写脚标;
交流----小写字母,小写脚标;
有效值---大写字母,小写脚标
1.电容器的基本性质和作用:隔直流通交流。
Xc=1/(2πfc)f为交流电频率
2.电感线圈是一个储能元件,以磁的形式储存电能。XL=2πfL,通直流阻交流
3.无功功率Q=UI(var,乏),存储在释放电能
有功功率P=UI(w,瓦),消耗电能转换成热能
1.基尔霍夫定律---解决复杂电路问题
a.电流定律KCL:支路、节点、回路。在任一瞬时,流入任一节点的电流之和必定等于从该节点流出的电流之和。∑Ii=∑Io。在任一瞬间,通过任一节点电流的代数和恒等于零。∑I=0。
b.电压定律KVL:对任一回路,沿着任一方向绕行一周,各电源电动势的代数和等于各电压降的代数和。∑E=∑IR。选定一个方向计算。
1.新标准----低压与高压分分界:交流1000伏
旧标准-----对地电压在250V
2.电流经过闭合路径进行能量的转换、传输和分配,实现信号的传递、存储和处理。
3.人体电阻约为1000~3000Ω。
4.电阻是耗能元件,消耗电能变为热能;电阻是线性元件,符合欧姆定律;作用有限流、分流、降压、分压;主要参数有阻值及误差、额定电压、额定功率。
5.部分电路欧姆定律+全电路欧姆定律
1.2014年12月1日。
2.安全生产工作----经济社会持续健康发展
3.安全第一,预防为主,综合治理
4.主要责任人对本单位安全生产工作全面负责。
5.主要负责人负有7项职责;安全生产管理人员7项职责。
6.生产从业人员的五项权利四项义务。
7.现场触电急救方法、保证安全的技术措施
8.异步电动机控制接线、启动方法及接线
第四章 接地 接零
==
并联变压器中 变压器电压比相等 允许误差为±0.5%
-4导,12绝缘
三角形,有功cos,无功sin
感前容后,电感电流超电压,根号2,直流大写,交流小写
2016年10月28日19点
讲得好
1、电容器不消耗能量
2、电容器的电容等于电容器在1V电压下的带电荷量。(与极板面积成正比,与极间距离城反比。)1F=10^6微法=10^9纳法=10^12皮法