本征激发：在热激发一产生自由电子和空穴对的现象，多子和少子
杂质半导体：人为掺入某种杂质
磷：非常容易产生电子 N型半导体
硼 P型半导体 空穴
PN结：护散 漂移 形成PN结
正偏
P区接高电位，N区接低电位
利用：二极管 整流 稳压
光电二极管 反向电流随光照强度的增加而上升
发光二极管
晶体三极管 电流放大，发射结正向偏，集电结反向偏
本章复习
直流电路 欧姆定律 功率换算
电磁感应与磁路 磁电转换规律
单相交流电路 电压 电流有效值与最大值
三相交流电路 相电压线电压相电流 线电流
电子技术常识 二极管 三极管
公式
逻辑电路：
高电位表示为数字“1”
低电位表示为数字“0”
与门逻辑电路真值表。必须两个条件都满足才能实现。
或门逻辑电路，有一个条件满足就能实现。
非门逻辑电路，两个条件必须相反才可实现。
二极管，伏安特性
死区电压为0.5（硅管），0.2（锗管）
作用：稳压，整流。
光电二极管；
发光二极管（广泛应用于节能灯）
晶体管作用：电流放大，满足条件为（发射极正偏，集电极反偏）
共发射极放大电路
晶闸管（可控硅），三级组成，阴极、阳极、门极。
想让其工作必须三极上都加上正向电压。
d w
本征半导体指纯净的不含杂质的半导体
本征半导体常用的有锗Ge 硅Si
半导体在热激发下产生自由电子和空穴
杂质半导体N型半导体磷电子；P型掺硼空穴
PN为P型和N型的结合且具有单向导电性
死区电压 硅管0.5V锗管0.2V
二极管稳压，全波，半波。
三基管放大电流
晶闸管也叫可控硅，控制电路
集成运算放大应用：1反向输入比例运算减法
2同相输入比例器加法运算
3电压跟随器避免物断开
时序逻辑：触发，寄存，记数。
本征半导体
鍺Ge 硅Si
杂质：元素磷 元素硼
N型 多子是自由电子
P型 多子是空穴
PN结
正偏 P接高电位 N接低电位 导电
反偏 P接低电位 N接高电位 不导电
三极管 放大电流
B基极 C集电极 E发射极
晶闸管
K阴极 G门极 A阳极
导体 10的4次方
绝缘体
绝缘体 10的12次方
电子技术常识
半导体
电阻率小于-10000欧的物质称为导体
电阻率大于10的十二次方称为绝缘体
电阻率在两者之间称为半导体
本征半导体是指纯净不含杂质的
常用的：鍺和硅
半导体在热激发（加热、光照、及射线照射）下产生自由电子和空穴对的现象
杂质半导体
加入磷 形成N型半导体
加入硼形成P型半导体
PN结：自建电场阻止扩散，加强漂移
正偏：P区接高电位，N区接低电位
半导体二极管：PN结上加上外壳和引线
二极管伏安特性：死区电压/导通压降
硅管：0.5V/0.7V
锗管：0.2V/.03V
加反向电压太大时会击穿
应用：半波整流
全波/桥式整流
稳压二极管：电流可以有很大变化，电压变化很小
光电二极管：反向电流随光照强度的增加而上升
发光二极管：真想电流时，发特定的光
晶体三极管
PNP型和NPN型
晶体管具有电流放大作用
发射结正偏，集电结反偏
晶闸管：阳极、阴极、门极
必须在三个极之间加上电压才能导通
对电路起控制作用，也叫可控硅
集成放大运算器
反相输入比例运算电路
同相输入比例运算电路
电压跟随器
模拟信号：时间和数值上连续的信号
数字信号：在时间和数值上不连续的（离散）
信号
组合逻辑电路
与门逻辑电路
或门逻辑电路
非门
时序逻辑电路：有逻辑关系有记忆功能
半导体
二极管
光电二极管，发光二极管
三极管
组合逻辑电路
与门逻辑
AB都满足 则下一步
A B F
1 1 1
或门AB一种满足则进行下一步
非门（反向器）
时序逻辑电路有记忆性功能，输入与输出有明确的时间顺序关系
电压跟随器
数字电路模拟信号：在时间上和数值
组合逻辑电路
逻辑0和1电子的；电路中用高
获得高、低电平的基本方法；
或门 非门（反向器）
时序逻辑电路
反向输入比例运算电路
(•̀ω•́)✧本征半导体锗硅
自由电子
空穴
载流子包括自由自由电子和空穴杂质半导体磷硼N型P型
1.本征半导体：纯净的不含杂质的半导体。
2.载流子：自由电子+空穴对 多子+少子
3.死区电压：硅管0.5V 锗管：0.2V
导通压降：Si 0.7v Ge 0.3v
4.三极管作用：电流放大
集电极 发射极
5.集成运算放大器应用：
a.反相输入比例运算电路
b.同相输入比例器
c.电压跟随器
-4导，12绝缘
电阻率小于10的负4次方的物质称为导体；
电阻率大于10的12次方的物质称为绝缘体。
介于导体和绝缘体之间的是本征半导体：锗、锗
本征激发：半导体在热激发下产生自由电子和空穴
杂质半导体：在本征半导体中人为掺入某种“杂质”元素形成的半导体 磷（N型） 硼（P型）
二极管伏安特性 死区电压 硅管0.5V，锗管0.2V
导通压降：硅管0.6-0.7V，锗管0.2-0.3V
晶体管具有电流放大的作用 发射结正向偏置、集电结反向偏置